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真空鍍膜機主要由鍍膜室、真空系統、電控系統等部分組成。而立式真空蒸發鍍膜機的鍍膜室結構主要由室體、球面行星轉動基片架、基片烘烤裝置、E型槍蒸發源、膜厚測量晶體、擋板等構件組成。室體可采用鐘罩式或前開門式結構。鐘罩式室體通常用于較小的鍍膜裝置(直徑不大于500mm)，前開門式室體通常用于較大的鍍膜設備。室體上均設置有觀察窗。

基片烘烤裝置的加熱元件可采用電阻加熱器、遠紅外加熱管或碘鎢燈等加熱元件。根據鍍膜工藝的需要，確定烘烤溫度范圍及其加熱功率。

e型槍蒸發源固定在室體底板上，并且使其坩堝內的膜材蒸發平面基本上與球面基片架位于同一球面上，以便保證膜厚均勻。

擋板位于坩堝上方，由鍍膜室外部的操作手柄使其遮擋膜材蒸汽流或移開擋板進行蒸鍍。擋板的作用是為了提高膜層純度，防止高蒸汽壓雜質蒸鍍到基片上。

膜層測量晶體是石英晶體測厚儀的傳感器，可以實現鍍膜過程的實時膜厚測量。目前在制備光學膜的鍍膜機中。通常采用單色儀、測厚儀、光源及測試玻片組合而成的學光測厚系統。以測試玻片的膜厚表征基片膜厚，用單色儀接收到的光束信號實現膜厚的實時測量。

為了適應鍍膜工藝的靈活性要求，在很多該類型的鍍膜機中除了設置e型槍蒸發源外，還配備了電阻加熱式蒸發源。