真空蒸鍍與真空濺鍍作為光學(xué)濾光片經(jīng)常用到的兩種真空鍍膜方式，在其制作以及成品應(yīng)用上有很大的區(qū)別，下面我們將從這兩者的原理、工藝以及應(yīng)用上的差距，為大家說說這兩者的區(qū)別！

（電子束蒸發(fā)鍍膜）

原理分析

真空蒸鍍通常采用電阻加熱、電子束加熱、感應(yīng)加熱等方式使鍍膜材料蒸發(fā)，鍍膜材料被加熱后蒸氣在基片上冷凝形成薄膜，在此真空環(huán)境下，材料原子自由飛行，粒子的能量相對較低，碰撞概率低，經(jīng)過蒸鍍后的薄膜相對較為松散，致密性稍差，附著力也相對較弱，在一些情況下可能需要進行后續(xù)處理來增強附著力，尤其需要避免一些多元合金或化合物鍍膜材料在蒸發(fā)過程中可能會出現(xiàn)成分偏析的情況。

真空濺鍍，即真空濺射鍍膜，通過高能離子（如氬離子等）轟擊靶材，使靶材表面原子或分子濺射出來，并沉積在基底材料表面形成薄膜，由于是通過在真空室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，且加速離子能量較高，撞擊靶材時濺射原子在沉積時具有更高的動能，形成的薄膜變得更致密且均勻性較好，分布均勻，附著力也較強。

（濺射鍍膜）

工藝特點不同

真空蒸鍍膜適用于大多數(shù)金屬、氧化物、硫化物等材料的鍍膜，但對于一些高熔點、難蒸發(fā)的材料可能不太適用。一般情況下，真空蒸鍍膜的鍍膜速率相對較快。蒸發(fā)過程中，材料可以快速氣化并沉積在基底上；整體而言，真空蒸鍍膜的工藝控制相對較簡單，主要控制參數(shù)包括蒸發(fā)溫度、真空度、沉積時間等。

真空濺射鍍可以用于各種材料，包括高熔點材料、陶瓷、合金等，適用范圍更廣，真空濺射膜的鍍膜速率相對較慢，因為濺射過程中粒子的能量較低，沉積效率相對較低，真空濺射膜的工藝控制相對復(fù)雜，需要控制的參數(shù)較多，如濺射功率、氣壓、靶材與基底的距離等，離子體的產(chǎn)生和粒子的運動軌跡，靶材與基底的距離也會影響薄膜的質(zhì)量等，這些參數(shù)之間相互影響，需要精確調(diào)整才能獲得高質(zhì)量的薄膜。

注：濺射粒子在與基底相互作用時具有較高的動能，能夠產(chǎn)生較強的附著力，但濺射過程中產(chǎn)生的濺射粒子數(shù)量相對有限，且濺射粒子在運動過程中會受到氣體分子的碰撞等影響，其到達基底的效率相對較低，為了保證濺射粒子能夠直線運動到基底表面以獲得較好的薄膜質(zhì)量，通常需要在較低的氣壓下進行濺射鍍膜，這也限制了單位時間內(nèi)到達基底的粒子數(shù)量，從而導(dǎo)致鍍膜速率相對較慢。

應(yīng)用領(lǐng)域不同原因

 光學(xué)領(lǐng)域

真空蒸鍍膜在光學(xué)鍍膜方面應(yīng)用廣泛，主要是因為其鍍膜速率快、成本低，能夠滿足大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)元件的需求。對于一些對薄膜質(zhì)量要求不是特別高的光學(xué)應(yīng)用，如普通的眼鏡鏡片增透膜等，真空蒸鍍膜是一種經(jīng)濟有效的選擇。

真空濺射膜在高精度光學(xué)儀器、激光器件等領(lǐng)域應(yīng)用更多，是因為其薄膜質(zhì)量更高，如致密性好、均勻性好、附著力強等，能夠滿足這些高端光學(xué)器件對光學(xué)性能和穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。

電子領(lǐng)域

真空濺射膜在電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，是因為電子器件對薄膜的性能要求非常高，需要良好的致密性、附著力和成分均勻性，以確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。真空濺射膜能夠滿足這些要求，例如在半導(dǎo)體器件制造中，薄膜的質(zhì)量直接影響器件的性能和壽命。

真空蒸鍍膜在電子領(lǐng)域應(yīng)用相對較少，主要是因為其薄膜性能在某些方面不能滿足電子器件的嚴(yán)格要求，如附著力較弱可能導(dǎo)致薄膜在后續(xù)的加工或使用過程中容易脫落。

裝飾領(lǐng)域

真空蒸鍍膜在裝飾領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，是因為其可以通過控制蒸發(fā)材料和工藝參數(shù)，獲得各種豐富的顏色和光澤，而且成本相對較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)裝飾性產(chǎn)品。

真空濺射膜在裝飾領(lǐng)域應(yīng)用較少，是因為其成本較高、工藝復(fù)雜，對于裝飾性要求為主的產(chǎn)品來說，性價比相對較低。